Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные. Предназначены для применения в усилителях мощности, источниках вторичного электропитания, преобразователях. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами. Масса транзистора не более 2 г.
| Группа | Uкэ max(и). B | Jк max(и). А | Pк max[Т]. Вт | h21э | fгр. Мгц | Uкэ нас. В |
| А | 30 | 2 | 1 | 20-55 | >4 | <0.8 |
| Б | 60 | 2 | 1 | 20-55 | >4 | <0.8 |
| В | 80 | 2 | 1 | 20-55 | >4 | <0.8 |
| Г | 100 | 2 | 1 | 20-55 | >4 | <0.8 |
