Биполярный транзистор КТ819

n-p-n

Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные универсальные низкочастотные мощные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных схемах. Транзисторы КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами, транзисторы КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ — в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзисторов в пластмассовом корпусе не более 2,5 г, в металлостеклянном не более 15 г.

Технические характеристики

ГруппаUкэ max(и). BJк max(и). АPк max[Т]. Втh21эfгр. МгцUкэ нас. В
А4010(15)1.5[60]15>=3<2
АМ4015(20)2[100]15>=3<2
Б5010(15)1.5[60]20>=3<2
БМ5015(20)2[100]20>=3<2
В7010(15)1.5[60]15>=3<2
ВМ7015(20)2[100]15>=3<2
Г9010(15)1.5[60]12>=3<2
ГМ10015(20)2[100]12>=3<2

Цоколёвка («распино́вка»)

Биполярный транзистор КТ819Биполярный транзистор КТ819