Биполярный транзистор КТ819 n-p-n
Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные универсальные низкочастотные мощные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных схемах. Транзисторы КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами, транзисторы КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ — в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзисторов в пластмассовом корпусе не более 2,5 г, в металлостеклянном не более 15 г.
Группа | Uкэ max(и). B | Jк max(и). А | Pк max[Т]. Вт | h21э | fгр. Мгц | Uкэ нас. В |
А | 40 | 10(15) | 1.5[60] | 15 | >=3 | <2 |
АМ | 40 | 15(20) | 2[100] | 15 | >=3 | <2 |
Б | 50 | 10(15) | 1.5[60] | 20 | >=3 | <2 |
БМ | 50 | 15(20) | 2[100] | 20 | >=3 | <2 |
В | 70 | 10(15) | 1.5[60] | 15 | >=3 | <2 |
ВМ | 70 | 15(20) | 2[100] | 15 | >=3 | <2 |
Г | 90 | 10(15) | 1.5[60] | 12 | >=3 | <2 |
ГМ | 100 | 15(20) | 2[100] | 12 | >=3 | <2 |