Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные усилительные высокочастотные маломощные. Предназначены для работы в схемах усилителей высокой, промежуточной и низкой частоты. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 0,3 г.

Группа	Uкэ max(и). B	Jк max(и). А	Pк max[Т]. Вт	h21э	fгр. Мгц	Uкэ нас. В
А	25	0.1	0.15	20 - 90	>= 250	< 0.4
Б	20	0.1	0.15	50 - 350	>= 250	< 0.4
В	40	0.1	0.15	40 - 160	>= 250	< 0.4
Г	35	0.1	0.15	50 - 350	>= 250	< 0.4
Д	40	0.05	0.15	20 - 90	>= 250	< 1
Е	35	0.05	0.15	50 - 350	>= 250	< 1
Ж	10	0.05	0.15	50-350	>=250	-
И	15	0.05	0.15	>= 250	>= 250	-
К	60	0.05	0.15	50 - 350	>= 250	< 1
Л	20	0.1	0.15	50 - 350	>= 250	< 0.3
М	40	0.1	0.15	70 - 160	>= 250	< 0.3
Н	45	0.05	0.15	20 - 90	>= 150	< 1
П	50	0.05	0.15	100 - 350	>= 250	< 0.3