Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные усилительные высокочастотные маломощные. Предназначены для работы в схемах усилителей высокой, промежуточной и низкой частоты. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 0,3 г.

Группа	Uкэ max(и). B	Jк max(и). А	Pк max[Т]. Вт	h21э	fгр. Мгц	Uкэ нас. В
А	25	0.1	0.15	30 - 120	>= 250	< 0.4
Б	20	0.1	0.15	50 - 350	>= 250	< 0.4
В	40	0.1	0.15	30 - 120	>= 250	< 0.4
Г	35	0.1	0.15	50 - 350	>= 250	< 0.4
Д	40	0.1	0.15	20 - 90	>= 250	< 0.4
Е	35	0.1	0.15	50 - 350	>= 250	< 0.4
Ж	20	0.05	0.1	30 - 250	>= 250	< 0.4
И	60	0.05	0.1	>= 30	>= 250	< 0.4
Р	35	0.1	0.1	150 - 350	>= 250	< 0.4