Полевой транзистор КП809

изолированный затвор, n – канал

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные с каналом n-типа и с изолированным затвором, универсальные. Предназначены для применения в импульсных источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах, преобразователях с непрерывным импульсным управлением и в схемах управления электродвигателями. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 20 г.

Технические характеристики

ГруппаUси max. BUзи max. BJс max. АPси max. ВтUзи пор[отс.]. BS ma/Bfгр. МгцRси отк. Ом
А40020251002.5-3.3>1500>3<0.3
Б50020201002.5-3.3>1500>3<0.6
В60020151002.5-3.3>1500>3<1.2
Г70020151002.5-3.3>1500>3<1.5
Д80020101002.5-3.3>1500>3<1.8
Е7502081002.5-3.3>1500>3<2.5

Цоколёвка («распино́вка»)

Полевой транзистор КП809Полевой транзистор КП809