Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные с каналом n-типа и с изолированным затвором, универсальные. Предназначены для применения в импульсных источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах, преобразователях с непрерывным импульсным управлением и в схемах управления электродвигателями. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 20 г.
| Группа | Uси max. B | Uзи max. B | Jс max. А | Pси max. Вт | Uзи пор[отс.]. B | S ma/B | fгр. Мгц | Rси отк. Ом |
| А | 400 | 20 | 25 | 100 | 2.5-3.3 | >1500 | >3 | <0.3 |
| Б | 500 | 20 | 20 | 100 | 2.5-3.3 | >1500 | >3 | <0.6 |
| В | 600 | 20 | 15 | 100 | 2.5-3.3 | >1500 | >3 | <1.2 |
| Г | 700 | 20 | 15 | 100 | 2.5-3.3 | >1500 | >3 | <1.5 |
| Д | 800 | 20 | 10 | 100 | 2.5-3.3 | >1500 | >3 | <1.8 |
| Е | 750 | 20 | 8 | 100 | 2.5-3.3 | >1500 | >3 | <2.5 |
