Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса. Масса транзистора не более 0,5 г.

Группа	Uси max. B	Uзи max. B	Jс max. А	Pси max. Вт	Uзи пор[отс.]. B	S ma/B	fгр. Мгц	Rси отк. Ом
А	25	30	0.020	0.2	0.5-3	2-6	100	-
Б	25	30	0.020	0.2	0.5-3	1-4	100	-
В	25	30	0.020	0.2	1-4	1-4	100	-
Г	25	30	0.020	0.2	8	2-5	100	-
Д	25	30	0.020	0.2	<8	>2.6	100	<4
Е	25	30	0.020	0.2	<8	>4	100	<4
Ж	25	30	0.020	0.2	0.3-3	1-4	100	-
И	25	30	0.020	0.2	0.5-2	2-6	100	<4