Полевой транзистор КП303

p-n переход, n-канал

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса. Масса транзистора не более 0,5 г.

Технические характеристики

ГруппаUси max. BUзи max. BJс max. АPси max. ВтUзи пор[отс.]. BS ma/Bfгр. МгцRси отк. Ом
А25300.0200.20.5-32-6100
Б25300.0200.20.5-31-4100
В25300.0200.21-41-4100
Г25300.0200.282-5100
Д25300.0200.2<8>2.6100<4
Е25300.0200.2<8>4100<4
Ж25300.0200.20.3-31-4100
И25300.0200.20.5-22-6100<4

Цоколёвка («распино́вка»)

Полевой транзистор КП303Полевой транзистор КП303