Полевой транзистор КП103

p-n переход, p-канал

Транзисторы кремниевые диффузионно-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Выпускаются в пласмассовом корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса. Масса транзистора не более 1,0 г.

Технические характеристики

ГруппаUси max. BUзи max. BJс max. АPси max. ВтUзи пор[отс.]. BS ma/Bfгр. МгцRси отк. Ом
Е10150.0070.4-1.50.4-2.43<3
Ж10100.012[0.5-2.2]0.5-2.83<3
И12100.021[0.8-3]0.8-2.63<3
К10100.038[1.4 – 4]1-3.33<3
Л12100.066[2 – 6]1.8-3.83<3
М10100.12[2.8 – 7]1.3-4.43<3

Цоколёвка («распино́вка»)

Полевой транзистор КП103Полевой транзистор КП103