Транзисторы кремниевые диффузионно-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Выпускаются в пласмассовом корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса. Масса транзистора не более 1,0 г.

Группа	Uси max. B	Uзи max. B	Jс max. А	Pси max. Вт	Uзи пор[отс.]. B	S ma/B	fгр. Мгц	Rси отк. Ом
Е	10	15	-	0.007	0.4-1.5	0.4-2.4	3	<3
Ж	10	10	-	0.012	[0.5-2.2]	0.5-2.8	3	<3
И	12	10	-	0.021	[0.8-3]	0.8-2.6	3	<3
К	10	10	-	0.038	[1.4 - 4]	1-3.3	3	<3
Л	12	10	-	0.066	[2 - 6]	1.8-3.8	3	<3
М	10	10	-	0.12	[2.8 - 7]	1.3-4.4	3	<3