Биполярный транзистор 2Т819 n-p-n
Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные универсальные низкочастотные мощные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных схемах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 15 г.
Группа | Uкэ max(и). B | Jк max(и). А | Pк max[Т]. Вт | h21э | fгр. Мгц | Uкэ нас. В |
А | 100 | 15(20) | 3[100] | 20 | >=3 | <1 |
Б | 80 | 15(20) | 3[100] | 20 | >=3 | <1 |
В | 60 | 15(20) | 3[100] | 20 | >=3 | <1 |