Транзисторы кремниевые диффузионно-планарные полевые с изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения в усилительных каскадах высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса. Масса транзистора не более 1,0 г.

Группа	Uси max. B	Uзи max. B	Jс max. А	Pси max. Вт	Uзи пор[отс.]. B	S ma/B	fгр. Мгц	Rси отк. Ом
А	15	30	0.015	0.15	<6	6 - 10	250	-
Б	15	30	0.015	0.15	<6	6 - 10	250	-
В	15	30	0.015	0.15	<6	6 - 10	250	-
Г	15	30	0.015	0.15	<6	6 - 10	250	-