Транзисторы кремниевые диффузионно-планарные полевые с изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения в усилительных каскадах высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса. Масса транзистора не более 1,0 г.
| Группа | Uси max. B | Uзи max. B | Jс max. А | Pси max. Вт | Uзи пор[отс.]. B | S ma/B | fгр. Мгц | Rси отк. Ом |
| А | 15 | 30 | 0.015 | 0.15 | <6 | 6 - 10 | 250 | - |
| Б | 15 | 30 | 0.015 | 0.15 | <6 | 6 - 10 | 250 | - |
| В | 15 | 30 | 0.015 | 0.15 | <6 | 6 - 10 | 250 | - |
| Г | 15 | 30 | 0.015 | 0.15 | <6 | 6 - 10 | 250 | - |
